坩埚石墨化度对SiC单晶生长过程的影响

• 作者: 乔冠军 刘军林 杨建峰 程基宽 高积强
• 来源期刊: 稀有金属材料与工程
• 学科: 化学
• 关键词: 物质传输 石墨化度 单晶生长 SiC
• 年，卷（期）: 2005,（12）
• 所属期刊栏目: 材料工艺
• 页码范围: 1944-1947
• 页数: 4页
• 分类号: O613.71|O613.72
• 字数: 2231字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-185X.2005.12.024

摘要

研究了用改进Lely法制备SiC单晶的过程中坩埚石墨化度对物质传输和晶体生长速度的影响.在不同温度下进行石墨化处理得到了实验所用的坩埚.用XRD方法定量测定了晶体生长前坩埚的石墨化度,并用SEM分析了晶体生长后坩埚内壁的反应情况.实验结果表明,石墨坩埚在SiC晶体生长过程中是一个非常重要的碳源提供者;当坩埚的石墨化程度较低时,晶体的生长速度快,生长速度由生长温度所控制;随着坩埚石墨化程度的提高,晶体生长速度减慢并由坩埚石墨化度所控制;当石墨化度进一步提高的时候,籽晶被碳化,晶体不能正常生长.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高积强	西安交通大学金属材料强度国家重点实验室	69	664	17.0	20.0
2	乔冠军	西安交通大学金属材料强度国家重点实验室	112	1262	19.0	29.0
3	杨建峰	西安交通大学金属材料强度国家重点实验室	4	11	2.0	3.0
4	程基宽	西安交通大学金属材料强度国家重点实验室	4	4	1.0	1.0
5	刘军林	西安交通大学金属材料强度国家重点实验室	4	3	1.0	1.0