静电放电和方波EMP对微电子器件的效应

• 作者: 原青云 张希军 杨洁 武占成 薛田
• 来源期刊: 高电压技术
• 学科: 工学
• 关键词: 微电子器件 静电放电 方波注入 敏感端对 人体模型
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 电磁兼容
• 页码范围: 47-50
• 页数: 4页
• 分类号: TN323.2
• 字数: 3211字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-6520.2006.06.015

摘要

为了得到微波低噪声晶体管电磁脉冲的最灵敏端对和最敏感参数以及相关规律和器件的损伤/失效机理和模式,首先采用静电放电人体模型(HBM),针对两类硅晶体三极管(3DG218、3358)进行了静电放电敏感性相关实验,得到该类晶体管的ESD敏感端对是CB结;器件损伤时的灵敏参数是VBRCEO;又采用方波注入法对两晶体管进行实验比较了从CB结反向注入与从EB结反向注入的损伤电压值,发现该类器件的EMP最敏感端对是CB结而非以往人们认为的EB结.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	武占成	军械工程学院静电与电磁防护研究所	87	567	12.0	18.0
3	张希军	军械工程学院静电与电磁防护研究所	50	393	12.0	17.0
4	原青云	军械工程学院静电与电磁防护研究所	50	325	12.0	15.0
5	杨洁	军械工程学院静电与电磁防护研究所	29	181	9.0	12.0