基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
在传统一级温度补偿带隙基准电路的基础上,对电路进行了改进,实现二级温度补偿,该电路可以在-40~115℃范围内,达到平均低于5×10-6/℃的温度系数.整个电路采用Chartered 0.35μm CMOS工艺实现,使用Hspice仿真器进行仿真.仿真结果证明此基准电压源具有很低的温度系数.
推荐文章
低压CMOS带隙基准电压源设计
CMOS基准电压源
低功耗
Sub-1 V
高电源抑制比
一种高精度曲率补偿带隙基准电压源设计
帯隙基准电压源
曲率补偿
亚阈值区
漏极电流
一种CMOS带隙基准电压源设计
CMOS
带隙基准
低温度系数
电源抑制比
低压下5×10-6/℃的带隙基准电压源设计
带隙基准源
CMOS
温度补偿
10-6/℃
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 5×10-6/℃的带隙基准电压源设计
来源期刊 电子科技 学科 工学
关键词 带隙基准源 CMOS 温度系数 PTAT 温度补偿
年,卷(期) 2006,(5) 所属期刊栏目 技术论文
研究方向 页码范围 41-44
页数 4页 分类号 TN7
字数 1458字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1007-7820.2006.05.012
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 吴玉广 西安电子科技大学微电子所 46 226 8.0 13.0
2 肖本 西安电子科技大学微电子所 3 5 2.0 2.0
3 宋志强 西安电子科技大学微电子所 1 3 1.0 1.0
4 李冬林 北京大学微电子所 1 3 1.0 1.0
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (1)
节点文献
引证文献  (3)
同被引文献  (2)
二级引证文献  (3)
2001(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2006(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
2008(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
2013(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
2015(1)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(1)
2017(1)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(1)
2018(1)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(1)
2020(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
带隙基准源
CMOS
温度系数
PTAT
温度补偿
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子科技
月刊
1007-7820
61-1291/TN
大16开
西安电子科技大学
1987
chi
出版文献量(篇)
9344
总下载数(次)
32
总被引数(次)
31437
论文1v1指导