低温砷化镓的外延lift-off和范德华贴附研究

• 作者: 倪国强 蓝天
• 来源期刊: 高技术通讯
• 学科: 工学
• 关键词: 低温砷化镓 外延lift-off 范德华力贴附 光导开关
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 新材料技术
• 页码范围: 163-166
• 页数: 4页
• 分类号: TB3
• 字数: 1724字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-0470.2006.02.011

摘要

研究了低温砷化镓的外延lift-off和基于范德华力在石英新衬底上贴附的实验方法:腐蚀掉100 nm厚的AlAs牺牲层,将外延生长的500 nm厚的低温砷化镓(LT-GaAs)从生长衬底上揭下(lift-off),借助于范德华力将LT-GaAs外延膜贴附在新衬底上.Lift-off之前在LT-GaAs表面上滴附黑蜡,以增强在lift-off过程中对LT-GaAs的保护,和加快反应气体扩散离开反应区的过程.针对500 nm厚的LT-GaAs外延薄膜的揭起和贴附,给出了低温砷化镓的最佳lift-off尺寸和提高范德华力贴附质量的实验技术.此外还给出了利用所得到的lift-off后的LT-GaAs制备的共平面条形结构光导开关的时间特性:上升时间小于1.5ps,FWHM小于2 ps.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	倪国强	北京理工大学信息科学技术学院光电工程系	203	3505	29.0	52.0
2	蓝天	北京理工大学信息科学技术学院光电工程系	14	222	7.0	14.0