离子束溅射制备Si／Ge多层膜研究

• 作者: 刘焕林 杨宇 郝瑞亭 陈刚
• 来源期刊: 中国材料科技与设备
• 学科: 物理学
• 关键词: Si/Ge多层膜 离子束溅射 红外探测材料
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 页码范围: 55-57
• 页数: 3页
• 分类号: O484.1

摘要

采用离子束溅射方法在Si衬底上制备Si／Ge多层膜，通过改变生长温度、溅射速率等因素得到一系列Si／Ge多层膜样品；通过X射线衍射、Raman散射等表征方法研究薄膜结构与生长条件的关系。在小束流（10mA）、室温条件下制备出界面清晰、周期完整的Si／Ge多层膜。