多电流路径抑制片上电感电流拥挤效应

• 作者: 刘珂 唐长文 菅洪彦 闵昊 黄晨灵
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 片上电感 品质因数 趋肤效应 临近效应 多电流路径 自谐振频率 串联电阻 寄生电容
• 年，卷（期）: 2006,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1690-1694
• 页数: 5页
• 分类号: TN3
• 字数: 3936字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.09.036

摘要

从电磁理论出发解释了片上电感电流分配的原因,得出小横界面积金属的趋肤效应弱,大的金属线宽和相邻金属间距比的偶耦合临近效应小的结论.采用4层金属的0.35μm标准CMOS工艺制造片上电感,将差分电感的单电流路径,分成多电流路径并联,在保持了电感的电学对称性的前提下,抑制了电感的电流拥挤效应,电感的最大品质因数提高了40%,同时降低了其自谐振频率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	闵昊	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	108	1103	18.0	27.0
2	唐长文	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	33	330	11.0	16.0
3	刘珂	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	5	15	2.0	3.0
4	菅洪彦	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	5	29	3.0	5.0
5	黄晨灵	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	5	63	5.0	5.0