钝化处理对GaN基LED反向漏电流特性的改善

• 作者: 罗毅 薛松 韩彦军
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 LED 钝化 漏电流 XPS
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 164-166
• 页数: 3页
• 分类号: TN312.8
• 字数: 2273字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2006.02.015

摘要

通过采用硫代乙酰胺(CH3CSNH2)溶液浸泡和沉积SiNx薄膜对干法刻蚀后的GaN基LED进行了处理.处理后,LED器件在-5V直流电压偏置下的漏电流下降到约1/6.X射线光电子能谱(XPS)分析结果表明,CH3CSNH2溶液处理能阻止GaN表面吸附O杂质,起到钝化的作用.沉积SiNx介质薄膜能有效隔绝LED器件和周围的环境.因此,这种两步方法能钝化干法刻蚀后GaN的侧壁,有效地减小LED器件的漏电流.