c-BN薄膜的生长过程和可重复性的研究

• 作者: 刘钧锴 田凌 邓金祥 陈光华 陈浩
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 立方氮化硼 可重复性 生长过程 射频溅射
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 57-60
• 页数: 4页
• 分类号: O484.1
• 字数: 3270字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2006.z1.014

摘要

用常规射频(RF)溅射系统,采用三步法在p型Si(111)上高重复率地制备出高品质的立方氮化硼(c-BN)薄膜.通过对c-BN薄膜生长过程的分析,找出了传统两步法制备高品质的c-BN薄膜重复率不高的原因.在两步法之前增加了使湍流层结构氮化硼(t-BN)转化为斜方六面体结构的氮化硼(r-BN)的步骤,即将形核过程分也为两步,使重复率显著提高.傅立叶变换红外吸收光谱的结果表明:当第一步偏压为180 V,时间为5 min时,得到了立方相含量为85%的c-BN薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘钧锴	北京工业大学材料学院	7	25	3.0	4.0
2	陈浩	北京工业大学应用数理学院	21	79	6.0	8.0
3	陈光华	北京工业大学材料学院	65	396	11.0	16.0
4	田凌	兰州大学物理学院	4	7	1.0	2.0
5	邓金祥	北京工业大学应用数理学院	45	150	7.0	9.0