ESD对微电子器件造成潜在性失效的研究综述

• 作者: 刘尚合 刘红兵 巨楷如 杨洁 祁树锋
• 来源期刊: 军械工程学院学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ESD 微电子器件 潜在性失效
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 装备电磁防护理论与技术
• 页码范围: 27-31
• 页数: 5页
• 分类号: O441
• 字数: 5185字
• 语种: 中文

摘要

静电放电(ESD)潜在性失效问题是当前微电子工业面临的可靠性问题之一,并且越来越引起人们的重视.国内外学者在微电子器件ESD潜在性失效的检测及探讨失效机理方面的研究取得了较大的进展.研究表明:MOS电路等微电子器件,在ESD作用下确实存在潜在性失效问题.因此,开展ESD潜在性失效研究具有重要意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘尚合	军械工程学院静电与电磁防护研究所	203	2590	23.0	39.0
2	刘红兵		13	43	4.0	6.0
3	杨洁	军械工程学院静电与电磁防护研究所	29	181	9.0	12.0
4	祁树锋	军械工程学院静电与电磁防护研究所	5	31	3.0	5.0
5	巨楷如	军械工程学院静电与电磁防护研究所	2	18	2.0	2.0