利用热退火法从非晶硅薄膜中生长纳米硅粒

• 作者: 薛清
• 来源期刊: 量子电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光电子学 纳米硅 快速热退火 拉曼散射
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 光电技术与材料
• 页码范围: 565-568
• 页数: 4页
• 分类号: O433|TN304.2
• 字数: 618字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2006.04.026

摘要

报道了一种从氢化非晶硅薄膜中生长纳米硅粒的方法.氢化非晶硅薄膜经过不同条件的热退火处理后,用拉曼散射和X射线衍射技术对样品进行了分析.实验结果表明:在快速升温条件下所形成的nc-Si在薄膜中的分布是随机均匀的,直径在1.6～15 nm范围内,硅粒大小随退火过程中升温快慢而变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	薛清	淮海工学院数理科学系	10	16	2.0	3.0