Gd(Sm)掺杂CeO2的沉淀法合成与导电性能研究

• 作者: 吉春艳 廖园富 徐庆 徐开群 陈文
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 无机非金属材料 CeO2基电解质 共沉淀法 离子电导率
• 年，卷（期）: 2006,（9）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 22-24,42
• 页数: 4页
• 分类号: TQ174
• 字数: 2975字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2006.09.007

摘要

采用碳酸盐共沉淀法合成Ce0.8Gd0.2O1.9和Ce0.8Sm0.2O1.9粉体,并用交流阻抗谱法研究其氧离子导电性能.结果表明,在600 ℃的热处理温度下,可以合成出单一萤石结构的超微细粉体(～200 nm),在1 400 ℃烧结后其相对密度达到95 %以上.在测试温度为800 ℃时,Ce0.8Gd0.2O1.9和Ce0.8Sm0.2O1.9的氧离子电导率分别达到7.8×10-1 S·cm-1和8.5×10-1 S·cm-1.在400～800 ℃范围内,其氧离子导电活化能分别为0.80 eV和0.72 eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吉春艳	武汉理工大学材料科学与工程学院	1	4	1.0	1.0
2	徐庆	武汉理工大学材料科学与工程学院	100	1060	19.0	25.0
3	廖园富		1	4	1.0	1.0
4	陈文	武汉理工大学材料科学与工程学院	216	1824	21.0	26.0
5	徐开群	武汉理工大学材料科学与工程学院	2	7	2.0	2.0