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具有保护功能的功率MOSFET——MLP2N06CL
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摘要：
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高压功率MOSFET结终端保护技术及其组合优化设计
高压
功率MOSFET
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电子世界
主办单位：
中国电子学会
出版周期：
半月刊
ISSN：
1003-0522
CN：
11-2086/TN
开本：
大16开
出版地：
北京市
邮发代号：
2-892
创刊时间：
1979
语种：
chi
出版文献量（篇）
36164
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