氮化铝薄膜的光学性能

• 作者: Zhaoyan Fan 邱复生 陈光德 颜国君
• 来源期刊: 光子学报
• 学科: 物理学
• 关键词: AIN薄膜 透射谱 吸收谱 禁带带宽 自由激子
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 薄膜化学
• 页码范围: 221-223
• 页数: 3页
• 分类号: O472
• 字数: 1698字
• 语种: 中文

摘要

分别使用X衍射仪和紫外(190 nm～800 nm)分光光度仪,测量了用分子束外延法生长在SiC(001)基底面上的AIN薄膜的X衍射、透射谱和不同温度下的吸收谱.X衍射表明:实验所用的AIN薄膜在c-轴存在应变和应力,该应变和应力主要是由于AIN的晶格常量与基底SiC的晶格常量不匹配所致.透射谱表明:AIN薄膜的禁带宽度大约为 6.2 eV;而其对应的吸收谱在 6.2 eV处存在一个明显的台阶,此台阶被认为是AIN薄膜中的带边自由激子吸收所产生,忽略激子的结合能(与禁带宽度相比),则该值就对应为AIN的禁带宽度.而其对应的不同温度下(10 k～293 k)的吸收谱的谱线的形状和位置无明显的变化表明:温度对AIN薄膜的禁带宽度亦无明显的影响,这主要是由于在AIN薄膜中存在着应力所致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈光德	西安交通大学理学院应用物理系	65	517	13.0	18.0
2	邱复生	西安交通大学理学院应用物理系	13	85	6.0	9.0
3	颜国君	西安交通大学理学院应用物理系	6	58	5.0	6.0