中频磁控反应溅射制备硅基氮化铝薄膜

• 作者: 彭启才 陈璞
• 来源期刊: 西华大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化铝 中频磁控反应溅射 结构 粗糙度
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 材料与成型技术
• 页码范围: 30-31,72
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 1493字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-159X.2008.01.011

摘要

利用中频磁控反应溅射技术,以高纯Al为靶材、高纯N2为反应气体,在Si(111)衬底上成功制备出氮化铝薄膜.通过X衍射分析和原子力显微镜测试发现:提高N2分压和升高衬底温度有利于AlN(110)的形成;随着衬底温度的改变,AlN薄膜的表面粗糙度也在变化,当衬底温度为230℃时,RMS表面粗糙度最小.实验结果表明:升高衬底温度有利于制备(110)面择优取向的AlN薄膜,退火是影响氮化铝薄膜表面粗糙度的重要因素.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	彭启才	西华大学材料科学与工程学院	5	23	3.0	4.0
2	陈璞	西华大学材料科学与工程学院	1	10	1.0	1.0