GeC薄膜的射频磁控反应溅射制备及性质

• 作者: 刘文婷 刘正堂 李阳平 闫峰 陈静
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: GeC薄膜 红外透射光谱 射频磁控溅射 XPS
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 6587-6592
• 页数: 6页
• 分类号: O6|O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.10.083

摘要

用射频磁控反应溅射法在ZnS衬底上制备了GeC薄膜,研究了工艺参数对Ge靶溅射及GeC薄膜红外透射性能的影响.衬底温度较低时GeC薄膜中含有H,形成了CH2,CH3,Ge-CH3等,使薄膜产生红外吸收;随衬底温度升高,薄膜红外吸收明显减小.靶基距、射频功率、Ar:CH4气体流量比、总气压对靶面中毒及溅射影响较大,但对GeC薄膜红外吸收影响较小.靶面中毒严重时,所制备无氢GeC薄膜附着性能差,随靶中毒减弱薄膜附着性能变好.优化工艺后,在ZnS衬底上制备了附着性能良好的无氢GeC薄膜,其折射率约为1.78,薄膜中C的含量比Ge的大,二者主要形成了C-Ge键.所制备的GeC/GaP红外增透保护膜系对ZnS衬底有良好的增透效果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈静	西北工业大学材料学院	112	2284	28.0	44.0
2	李阳平	西北工业大学材料学院	25	201	8.0	13.0
3	刘正堂	西北工业大学材料学院	120	749	14.0	21.0
4	闫峰	西北工业大学材料学院	5	20	3.0	4.0
5	刘文婷	西北工业大学材料学院	11	34	3.0	4.0