射频磁控反应溅射法制备Y2O3薄膜的工艺研究

• 作者: 刘正堂 李强 谭婷婷 闫锋
• 来源期刊: 机械科学与技术
• 学科: 工学
• 关键词: 射频磁控反应溅射 Y2O3薄膜 沉积速率
• 年，卷（期）: 2006,（11）
• 页码范围: 1362-1364
• 页数: 3页
• 分类号: TB32
• 字数: 2790字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1003-8728.2006.11.028

摘要

采用射频磁控反应溅射法制备氧化钇(Y2O3)薄膜.系统研究了工艺参数对Y2O3薄膜沉积速率的影响规律,使用X射线光电子能谱仪(XPS)分析表征了薄膜的成分.结果表明,Y2O3薄膜的沉积速率随射频功率的增大而增大,在合适的溅射压强下沉积速率呈现极大值,O2/Ar气体流量比和衬底温度的影响不明显,对此从理论上进行了解释.制备的薄膜中Y和O元素的原子浓度基本符合Y2O3的化学计量比.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李强	西北工业大学材料学院	116	784	15.0	18.0
2	刘正堂	西北工业大学材料学院	120	749	14.0	21.0
3	谭婷婷	西北工业大学材料学院	8	10	2.0	3.0
4	闫锋	西北工业大学材料学院	12	46	4.0	6.0