直流磁控反应溅射制备IrO2薄膜

• 作者: 丁爱丽 仇萍荪 何夕云 王世军 罗维根
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氧化铱薄膜 直流磁控反应溅射 热退火
• 年，卷（期）: 2000,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 733-739
• 页数: 7页
• 分类号: O484
• 字数: 3314字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2000.04.027

摘要

为研究氧化铱(IrO2)对PZT铁电薄膜疲劳性能的影响，利用直流(DC)磁控反应溅射(sputtering)工艺成功地在SiO2/Si(100)衬底上制得了高度取向的IrO2薄膜. 并在其上制成PZT铁电薄膜. 讨论了溅射参数(溅射功率、Ar/O2比、衬底温度)以及退火条件对氧化铱薄膜的结晶、取向和形态的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	丁爱丽	中国科学院上海硅酸盐研究所无机功能材料开放实验室	16	136	6.0	11.0
2	何夕云	中国科学院上海硅酸盐研究所无机功能材料开放实验室	7	39	4.0	6.0
3	仇萍荪	中国科学院上海硅酸盐研究所无机功能材料开放实验室	7	42	4.0	6.0
4	王世军	中国科学院上海硅酸盐研究所无机功能材料开放实验室	5	35	4.0	5.0
5	罗维根	中国科学院上海硅酸盐研究所无机功能材料开放实验室	8	81	4.0	8.0