SiO2/Si上直流磁控反应溅射制备AIN薄膜

• 作者: 沈伟东 熊斌 王立春 范克彬
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化铝薄膜 正交设计 溅射参数 择优取向
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 48-51
• 页数: 4页
• 分类号: TM282
• 字数: 3176字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-2812.2007.01.012

摘要

利用正交设计分析了直流磁控溅射中溅射气压,衬底温度和N2浓度对SiO2/Si衬底上制备的AIN薄膜的(002)择优取向的影响水平.利用X-射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)对薄膜的晶向和表面形貌进行了分析,得到制备高度择优取向的A1N薄膜的最佳期望条件:衬底温度为250C,溅射气压为2Pa,N2浓度为75%;并得出了氮气浓度对薄膜的(002)择优取向的影响较大.具有择优取向的AIN薄膜的折射率约为2.06.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈伟东	浙江大学现代光学仪器国家重点实验室	39	296	8.0	16.0
2	熊斌	中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室	54	412	11.0	16.0
3	范克彬	中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室	1	2	1.0	1.0
7	王立春	中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室	9	56	4.0	7.0