射频磁控反应溅射制备ZnO/AlN双层膜的结构和性能

• 作者: 巫邵波 李合琴 王淑占 赵之明 顾金宝
• 来源期刊: 理化检验-物理分册
• 学科: 工学
• 关键词: 射频磁控反应溅射 缓冲层 表面形貌 电阻率 荧光光谱
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 试验技术与方法
• 页码范围: 71-74,93
• 页数: 5页
• 分类号: TB43
• 字数: 3199字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-4012.2008.02.005

摘要

采用射频磁控反应溅射在Si(100)衬底上制备了ZnO/AlN双层膜.使用X射线衍射仪、原子力显微镜(AFM)、LCR测试仪及荧光分光光度计等仪器对样品进行了结构、表面形貌、导电性及荧光光谱的测试,并与相同工艺下制备的ZnO单层薄膜进行了对比研究.结果表明,ZnO/AlN双层膜的c轴择优取向性优于单层ZnO薄膜,薄膜应力更小,且为压应力,晶粒尺寸大于单层膜,表面粗糙度较小,并且其电阻率更低.荧光光谱显示,ZnO/AlN双层膜的结晶质量更好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李合琴	合肥工业大学材料科学与工程学院	71	273	8.0	12.0
2	顾金宝	合肥工业大学材料科学与工程学院	6	21	3.0	4.0
3	赵之明	合肥工业大学材料科学与工程学院	8	37	3.0	6.0
4	王淑占	合肥工业大学材料科学与工程学院	4	25	3.0	4.0
5	巫邵波	合肥工业大学材料科学与工程学院	4	25	3.0	4.0