射频反应溅射制备AlN薄膜的研究

• 作者: 李侃 王德苗 董树荣
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: AlN 压电薄膜 射频反应磁控溅射 择优取向 FBAR
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 微纳制造
• 页码范围: 1459-1461,1465
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 2510字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2006.05.039

摘要

采用射频反应磁控溅射制备了高C轴取向的AlN薄膜.在分析Berg迟滞模型的基础上,提出并实现了一种以氮气流量控制反应进程、以阴极电压标识反应进程的高速沉积c轴择优取向AlN薄膜的工艺方法.采用此种方法制备的AlN薄膜,在20W/cm2射频功率密度的情况下沉积速率达到2.3μm/h,远高于有关研究报道数据,获得的AlN薄膜(002)面X-射线衍射峰半高宽仅为0.3°,显示出薄膜具有良好的择优取向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	董树荣	浙江大学信电系	51	627	14.0	23.0
2	李侃	浙江大学信电系	6	49	5.0	6.0
3	王德苗	浙江大学信电系	66	789	15.0	24.0