射频反应溅射氧化铌薄膜的电致变色性能研究

• 作者: 章俞之 胡行方 黄银松
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化铌薄膜 电致变色 射频反应溅射
• 年，卷（期）: 2002,（3）
• 所属期刊栏目: 简报
• 页码范围: 632-636
• 页数: 5页
• 分类号: TB34
• 字数: 2092字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2002.03.042

摘要

采用射频反应溅射法成功地制备了非晶态氧化铌薄膜,研究了它们的电致变色性能.这些薄膜在漂白态透明无色,而着色态则为灰褐色.循环伏安测试结果表明该薄膜具有良好的稳定性和很好的锂离子注入/抽出性能.550nm处的着色效率为16.68cm2/C,在可见光区透过率调制幅度为20%～30%.结合X光电子能谱(XPS)分析可以认为氧化铌薄膜的电致变色现象是由于锂离子和电子的共同注入与抽出,导致薄膜中的铌离子发生Nbv和NbIV间的可逆氧化、还原反应引起的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡行方	中国科学院上海硅酸盐研究所	62	2055	24.0	44.0
2	章俞之	中国科学院上海硅酸盐研究所	15	214	10.0	14.0
3	黄银松	中国科学院上海硅酸盐研究所	6	85	6.0	6.0