用"阈值电流"评估FLASH存储器件可靠性

• 作者: 石凯 许铭真 谭长华
• 来源期刊: 中国集成电路
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 可靠性
• 页码范围: 55-62
• 页数: 8页
• 字数: 4545字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-5289.2006.05.012

摘要

本文针对小功率、低功耗的FLASH存储器件"小阈值电压窗口"的特点,提出了用"阈值电流"作为读取位线的参考电流.研究了"大阈值电压窗口"的ETOXTM FLASH和"小阈值电压窗口"的SONOS FLASH存储器件读取电流和阈值电流的退化,论证了用阈值电流对各种阈值电压窗口的FLASH器件读取性能可靠性进行评估的可行性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谭长华	北京大学微电子研究院	48	99	5.0	7.0
2	许铭真	北京大学微电子研究院	52	102	5.0	7.0
3	石凯	北京大学微电子研究院	2	1	1.0	1.0