N型多孔单晶硅片的热电性能研究

• 作者: 孟疌 徐桂英 赵志远
• 来源期刊: 中国材料科技与设备
• 学科: 物理学
• 关键词: 热电效应 电化学腐蚀 空实心结合量子结构 N型硅片 热电优值
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 页码范围: 29-31
• 页数: 3页
• 分类号: O472

摘要

半导体硅热电材料原材料极为丰富，而且安全无毒。尽管硅材料有着比较大的塞贝克系数，但是由于硅的热导率太高而电导率偏低导致热电性能低而不适用于热电材料。为了解决这一问题，本文采用电化学腐蚀的方法制备了N型多孔硅。采用物理气相沉积和电化学腐蚀相结合的方法在硅片上的纳米孔中镶嵌InSb，实现实空结合量子结构。这一结构大大提高了N型硅材料的热电优值，为研制具有高热电转化效率的热电材料开辟了一个新的途径。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐桂英	北京科技大学特种陶瓷粉末冶金研究中心	23	200	6.0	14.0
2	赵志远	北京科技大学特种陶瓷粉末冶金研究中心	2	0	0.0	0.0
3	孟疌	北京科技大学特种陶瓷粉末冶金研究中心	1	0	0.0	0.0