电阻率对N型单晶硅电池电性能影响的研究

• 作者: 严慧敏 张光春 李果华 王振交 贾琰
• 来源期刊: 硅酸盐通报
• 学科: 工学
• 关键词: 电阻率 N型单晶硅太阳电池 少子寿命 方块电阻 电池性能
• 年，卷（期）: 2014,（8）
• 所属期刊栏目: 试验与技术
• 页码范围: 2128-2132
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 2938字
• 语种: 中文

摘要

近年来,P型太阳电池商业化生产效率已趋于稳定,N型太阳电池逐渐走向产业化.基于N+ Np+型铝背结单晶硅太阳电池,研究了电阻率为1 ～5.5 Ω·cm的N型硅衬底材料经过相同工艺后电池性能的差别,可以有效的节省成本.通过选用不同电阻率的N型硅片,经过相同的工艺制备N型单晶硅太阳电池,采用QSSPC、四探针、ECV、恒光源Ⅰ-Ⅴ测试系统对电池的少子寿命、方块电阻、磷元素分布、电性能进行测量.实验结果表明:虽然电池的少子寿命随电阻率的升高而升高,但是在方块电阻、磷元素分布、开路电压Voc、短路电流Isc、填充因子FF、转换效率Eff等方面不同电阻率的电池并无明显差异.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	严慧敏	江南大学理学院	11	30	3.0	4.0
3	王振交		4	20	2.0	4.0
4	贾琰	江南大学理学院	1	2	1.0	1.0