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PbSe缓冲层表面微结构的演化及PbTe量子点的制备
PbSe缓冲层表面微结构的演化及PbTe量子点的制备
作者:
吴惠桢
徐天宁
戴宁
斯剑霄
曹春芳
邱东江
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
PbSe
MBE
螺旋结构
量子点
摘要:
用分子束外延技术在BaF2衬底(111)晶面上生长了PbSe单晶薄膜,研究了不同Se/PbSe束流比(Rf)对薄膜表面形貌的影响.在无Se束流(Rf=0)下制备的PbSe薄膜表面呈现三维岛状结构.当Rf较小(例如0.2)时,样品表面呈现三角形孔状结构特征,孔的尺寸随Rf的增大而减小.当Rf较大(0.6)时,样品表面的三角形孔消失,出现单原子层厚度的螺旋结构.螺旋由台阶环构成,平面尺寸为1~3μm,表面台阶平均宽度为150nm,台阶间高度差为一个单原子层(1ML=0.354nm).PbSe薄膜表面微结构的演化是由于Se束流改变了薄膜中的应变弛豫方式,从而改变了薄膜的生长模式引起的.最后,我们在以螺旋结构为特征的PbSe缓冲层表面自组织生长了PbTe量子点,观察到两种高度分布的量子点.
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文献信息
篇名
PbSe缓冲层表面微结构的演化及PbTe量子点的制备
来源期刊
半导体学报
学科
工学
关键词
PbSe
MBE
螺旋结构
量子点
年,卷(期)
2006,(z1)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
87-91
页数
5页
分类号
TN304.2
字数
1827字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.021
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
斯剑霄
浙江大学物理系
11
31
3.0
5.0
2
吴惠桢
浙江大学物理系
37
219
9.0
12.0
3
徐天宁
浙江大学物理系
18
56
5.0
5.0
4
邱东江
浙江大学物理系
22
144
8.0
11.0
5
戴宁
中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室
55
315
11.0
15.0
6
曹春芳
浙江大学物理系
3
17
3.0
3.0
传播情况
被引次数趋势
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献
(0)
共引文献
(0)
参考文献
(16)
节点文献
引证文献
(3)
同被引文献
(2)
二级引证文献
(0)
1991(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
1994(4)
参考文献(4)
二级参考文献(0)
1996(2)
参考文献(2)
二级参考文献(0)
1998(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2000(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2001(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2002(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2003(2)
参考文献(2)
二级参考文献(0)
2004(2)
参考文献(2)
二级参考文献(0)
2005(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2006(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
2010(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
2013(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
2016(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
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MBE
螺旋结构
量子点
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
半导体学报(英文版)
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
开本:
大16开
出版地:
北京912信箱
邮发代号:
2-184
创刊时间:
1980
语种:
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:
the National Natural Science Foundation of China
官方网址:
http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:
青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:
数理科学
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半导体学报(英文版)2006年第6期
半导体学报(英文版)2006年第5期
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