硅基二氧化硅波导和SOI脊型波导应力双折射研究

• 作者: 何忠蛟
• 来源期刊: 光子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光波导 应力 双折射 有限元方法
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 波导与集光学
• 页码范围: 201-204
• 页数: 4页
• 分类号: TN252
• 字数: 2096字
• 语种: 中文

摘要

采用有限元方法分析了硅基二氧化硅波导和SOI(Silicon on Insulator)脊型波导内部残留热应力引起的双折射.对于硅基二氧化硅波导,应力双折射系数的数量级为10-4,对于上包层为空气的SOI脊型波导,该系数的数量级为10-5,对于上包层为SiO2的SOI脊型波导,该系数的数量级为10-3,可见在硅基二氧化硅波导和上包层为SiO2的SOI脊型波导中产生了大的应力双折射,而在上包层为空气的SOI脊型波导中应力双折射较小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何忠蛟	浙江工商大学信息与电子工程学院	36	162	7.0	10.0