二氧化硅光波导刻蚀参量及掩膜的优化

• 作者: 刘文 吴国阳 周立兵
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 反应离子刻蚀 硅基二氧化硅光波导 三维神经网格
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1104-1110
• 页数: 7页
• 分类号: TN252
• 字数: 617字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.06.007

摘要

硅基二氧化硅光波导是光通信中的关键器件.采用光刻胶以及金属作为掩膜进行了反应离子刻蚀二氧化硅光波导的工艺研究,获得了刻蚀速率及刻蚀选择比相对各工艺参数变化的三维神经网络模型.利用一种新型的用于二氧化硅深刻蚀的复合双层掩膜结构,克服了许多单层掩膜自身的限制,并利用这一结构制作出低传输损耗的硅基二氧化硅波导.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘文		9	68	5.0	8.0
2	周立兵		2	29	2.0	2.0
3	吴国阳		2	29	2.0	2.0