一种BiCMOS带隙基准电压源的设计

• 作者: 应建华 彭颖 陈嘉
• 来源期刊: 华中科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 带隙基准电压源 低温度系数 高电源抑制比
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 页码范围: 65-67
• 页数: 3页
• 分类号: TN710.2
• 字数: 2667字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1671-4512.2006.03.019

摘要

设计了低温度系数、高电源抑制比BiCMOS带隙基准电压发生器电路.综合了带隙电压的双极型带隙基准电路和与电源电压无关的电流镜的优点.电流镜用作运放,它的输出作为驱动的同时还作为带隙基准电路的偏置电路.使用0.6 μm双层多晶硅n-well BiCMOS工艺模型,利用Spectre工具对其仿真,结果显示当温度和电源电压变化范围分别为-45～85 ℃和4.5～5.5 V时,输出基准电压变化1 mV和0.6 mV;温度系数为16×10-6/℃;低频电源抑制比达到75 dB.电路在5 V电源电压下工作电流小于25 μA.该电路适用于对精度要求高、温度系数低的锂离子电池充电器电路.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	应建华	华中科技大学电子科学与技术系	58	422	11.0	17.0
2	彭颖	华中科技大学电子科学与技术系	10	46	3.0	6.0
3	陈嘉	华中科技大学电子科学与技术系	6	24	2.0	4.0