用于测辐射热计热敏材料的多晶锗硅薄膜的研究

• 作者: 刘理天 岳瑞峰 董良
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 物理学
• 关键词: 多晶锗硅薄膜 测辐射热计 UHVCVD 热敏材料
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 页码范围: 1000-1003
• 页数: 4页
• 分类号: O484.4
• 字数: 2528字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2006.04.004

摘要

根据测辐射热计对热敏感材料的要求,采用超高真空化学气相淀积(UHVCVD)法制备出多晶Si0.7 Ge0.3薄膜,研究了B离子注入剂量、退火工艺与电导率和电阻温度特性的相关性,因此确定出了最佳的工艺条件,并利用其制备出了探测率高达3.75×108 cmHz1/2·W-1的测辐射热计.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	董良	清华大学微电子学研究所	21	87	5.0	8.0
2	岳瑞峰	清华大学微电子学研究所	67	379	11.0	15.0
3	刘理天	清华大学微电子学研究所	230	1519	19.0	23.0