Al掺杂ZnO薄膜的微结构及电学特性

• 作者: 余萍 吴惠桢 施红军 樊瑞新 邱东江
• 来源期刊: 浙江大学学报（工学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO薄膜 Al掺杂 微结构 电学特性
• 年，卷（期）: 2006,（11）
• 所属期刊栏目: 材料科学与力学
• 页码范围: 1873-1877
• 页数: 5页
• 分类号: O484.1
• 字数: 4690字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3785/j.issn.1008-973X.2006.11.008

摘要

用(ZnO)1-x(Al2O3)x(x=w(Al2O3)=0、0.01、0.02、0.05)陶瓷靶材为原料,通过电子束反应蒸发生长了非故意掺杂及Al掺杂的ZnO薄膜.采用X射线衍射、Raman散射及霍尔效应技术研究了薄膜的晶体微结构及电学特性.结果表明,由(ZnO)1-x(Al2O3)x(x ≤ 0.02)的靶材生长得到的Al掺杂ZnO薄膜仍具有高度c-轴取向的纤锌矿晶体结构,但随着薄膜中Al掺入量的增加,其c-轴取向性有所退化;Raman光谱测量表明,Al掺杂ZnO薄膜的本征内应力随着Al掺入量的增加而增大,(ZnO)0.98(Al2O3)0.02薄膜中Al和Zn的原子个数比为6:94,此时薄膜的内应力已接近饱和;Al掺杂ZnO薄膜的电阻率随着Al掺入量的增加呈现先减小后增大的特征,(ZnO)0.98(Al2O3)0.02薄膜具有最小的电阻率(7.85×10-4 Ω·cm),这归因于该类薄膜同时具有高电子浓度(1.32×1021 cm-3)和较高的电子迁移率(6.02 cm2/(V·s)).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴惠桢	浙江大学物理学系	37	219	9.0	12.0
2	邱东江	浙江大学物理学系	22	144	8.0	11.0
6	余萍	浙江大学物理学系	5	23	3.0	4.0
7	樊瑞新	浙江大学硅材料国家重点实验室	6	60	5.0	6.0
8	施红军	浙江大学硅材料国家重点实验室	7	35	3.0	5.0