离子束溅射Si薄膜的纵向结晶性分析

• 作者: 孔令德 杨宇
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 微晶硅 纵向Raman光谱 晶粒尺寸 晶化率
• 年，卷（期）: 2006,（8）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 1262-1264,1268
• 页数: 4页
• 分类号: O484.4
• 字数: 2675字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2006.08.024

摘要

研究了离子束溅射制备微晶硅薄膜的生长纵向结晶演化过程.纵向分布Raman光谱分析显示,当硅薄膜厚度减薄时,表面硅层的结晶峰强度明显减弱,峰位有微弱的蓝移.最薄的样品显示为非晶态结构.当Raman激光聚焦斑点向64.5nm厚的薄膜样品深层面聚焦取样时,微晶硅薄膜的结晶性先由表层向下逐渐变好,最大晶粒尺寸达3.318nm,最高晶化率达47.6%.最后,当激光聚焦斑点到达薄膜与玻璃衬底的界面孵化层时,硅薄膜显非晶态.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨宇	云南大学材料科学与工程系	101	377	9.0	12.0
5	孔令德	云南大学材料科学与工程系	4	18	3.0	4.0