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高纯半绝缘4H-SiC单晶研究进展
半导体材料
高纯半绝缘
4H-SiC单晶
单晶生长
PVT法制备4英寸碳化硅单晶研究
4英寸
碳化硅
横向延展
计算机模拟
44英寸热磨机结构特点
中密度
热磨机
44英寸
结构
高品质6英寸N型4 H-SiC单晶生长研究
PVT法
6英寸N型4H-SiC
数值模拟
温场分布
晶体品质
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
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文献信息
篇名 TDI制造出首块4英寸AlN/SiC半绝缘衬底
来源期刊 半导体信息 学科 工学
关键词 半绝缘 AlN/SiC TDI ALGAN 淀积 无线通信 晶膜 厚膜 原型结构 批产品
年,卷(期) bdtxx_2006,(6) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 26-26
页数 1页 分类号 TN304
字数 语种
DOI
五维指标
传播情况
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引文网络
引文网络
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节点文献
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二级引证文献  (0)
2006(0)
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研究主题发展历程
节点文献
半绝缘
AlN/SiC
TDI
ALGAN
淀积
无线通信
晶膜
厚膜
原型结构
批产品
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体信息
双月刊
16开
南京市1601信箱43分箱(南京市中山东
1990
chi
出版文献量(篇)
5953
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11
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