高品质6英寸N型4 H-SiC单晶生长研究

• 作者: 刘兵 刘素娟 李晋 李龙远 蒲红斌 赵子强 赵然 鲍慧强
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: PVT法 6英寸N型4H-SiC 数值模拟 温场分布 晶体品质
• 年，卷（期）: 2020,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 570-575
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.2|O782
• 字数: 2730字
• 语种: 中文

摘要

PVT法生长SiC单晶生长腔的温场分布是影响晶体质量的重要因素.采用数值模拟研究了保温层和坩埚结构以及线圈位置对6英寸SiC晶体生长温场的影响,优化出了适合高品质6英寸SiC晶体生长温场分布,在此条件下生长无裂纹的6英寸N型4H-SiC晶体.用高分辨率X射线衍射、拉曼光谱和缺陷检测系统对所加工的SiC衬底片的质量进行了表征.测试结果表明,晶型为单一的4H-SiC,微管密度小于1 cm-2,电阻率范围为0.02～0.022Ω·cm,X射线摇摆曲线半高宽为21.6″.