辐照对4 H-SiC VDMOS电学参数的影响

• 作者: 刘斯扬 孙伟锋 徐志远 李胜 魏家行
• 来源期刊: 东南大学学报（英文版）
• 学科: 工学
• 关键词: 4H-SiCVDMOS 辐照 陷阱 界面电荷 电学参数
• 年，卷（期）: 2018,（4）
• 页码范围: 474-479
• 页数: 6页
• 分类号: TM23
• 字数: 424字
• 语种: 英文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-7985.2018.04.009

摘要

研究了辐照对4 H-SiC纵向双注入金属氧化物场效应晶体管(VDMOS)电学参数的影响.通过SRIM和SILVACO软件仿真,观察到器件不同区域引入损伤后电学参数的漂移.仿真结果表明,不同区域的损伤会造成器件电学参数不同的退化.器件JFET区的非电离损伤会使器件的导通电阻增大,而靠近碰撞电离中心的非电离损伤会使器件的击穿电压增大.辐照在器件界面处引入的正电荷或负电荷同样会对器件的电学参数带来很大的影响.沟道上方SiC/SiO2界面处的正电荷会导致器件的阈值电压、导通电阻以及击穿电压降低,而终端区主结上方的SiC/Metal界面处的正电荷只会导致击穿电压的降低.相反,沟道上方SiC/SiO2界面处的负电荷会导致器件的阈值电压、导通电阻以及击穿电压增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙伟锋	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	105	634	13.0	19.0
2	刘斯扬	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	21	54	4.0	5.0
3	魏家行	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	4	3	1.0	1.0
4	李胜	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	2	3	1.0	1.0
5	徐志远	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	1	0	0.0	0.0