衬底负偏置对FLASH器件耐久性退化的影响

• 作者: 石凯 许铭真 谭长华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: FLASH memory 热载流子 耐久性 碰撞电离
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1115-1119
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 4038字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.06.033

摘要

研究了ETOXTM结构FLASH memory单元器件在VFG≈VD/2的热载流子写入应力条件下,衬底负偏置对单元器件耐久性退化的影响.结果表明:在既定的栅、漏偏置条件下,随着衬底负偏置的增加,器件耐久性退化会出现极小值.综合考虑了器件耐久性退化以及写入效率两方面的要求以后,确定了在VFG≈VD/2热载流子写入应力模式下,FLASH memory单元器件具有增强写入效率以及最小耐久性退化的最佳衬底负偏置条件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谭长华	北京大学微电子学系	48	99	5.0	7.0
2	许铭真	北京大学微电子学系	52	102	5.0	7.0
3	石凯	北京大学微电子学系	2	1	1.0	1.0