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台积电和ARM合作降低65纳米低功耗测试芯片功耗
台积电和ARM合作降低65纳米低功耗测试芯片功耗
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
功耗测试
ARM
芯片
纳米
合作
设计技术
低功耗
功率
摘要:
台积电和ARM日前联合宣布:双方在65纳米低功耗测试芯片上的设计合作显著降低了其动态功率和耗散(Leakage)功率。两家公司认为创新的低功耗设计技术对于最终的成功起到了关键的作用。
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文献信息
篇名
台积电和ARM合作降低65纳米低功耗测试芯片功耗
来源期刊
电子元器件应用
学科
工学
关键词
功耗测试
ARM
芯片
纳米
合作
设计技术
低功耗
功率
年,卷(期)
2006,(8)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
129
页数
1页
分类号
TP303.3
字数
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DOI
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2006(0)
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低功耗
功率
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期刊影响力
电子元器件应用
主办单位:
中国电子元件行业协会
出版周期:
月刊
ISSN:
1563-4795
CN:
开本:
大16开
出版地:
西安市科技路37号海星城市广场B座240
邮发代号:
创刊时间:
1999
语种:
chi
出版文献量(篇)
5842
总下载数(次)
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