降温速率对低压ZnO压敏电阻性能的影响

• 作者: 徐政 林枞 许业文
• 来源期刊: 建筑材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: 正电子湮没 ZnO压敏陶瓷 空位 缺陷 急冷
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 页码范围: 55-58
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.93
• 字数: 2819字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-9629.2007.01.010

摘要

采用低压ZnO压敏电阻配方,利用正电子湮没寿命谱(PAS)及SEM,对试样微结构进行了分析.结果表明,急冷能使低压ZnO压敏电阻的微空洞尺寸增大,缺陷浓度降低.通过分析PAS参数与电性能参数的关系,对急冷能明显降低电压梯度提出了新的解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐政	同济大学材料科学与工程学院	160	2312	24.0	39.0
2	许业文	同济大学材料科学与工程学院	10	141	4.0	10.0
6	林枞	同济大学材料科学与工程学院	13	228	8.0	13.0