绝缘体上硅锗薄膜的退火研究

• 作者: 冷建材 李健 脱英英 高兴国
• 来源期刊: 山东轻工业学院学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 硅锗薄膜 退火 拉曼 X射线
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 页码范围: 90-93
• 页数: 4页
• 分类号: TN405.98+4|TN304.1+2
• 字数: 3583字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4280.2007.01.027

摘要

绝缘体上硅锗是近年来受到人们广泛关注和研究的新型微电子材料,它以其独特的全介质隔离结构,可为研发新型的超高速、低功耗、抗辐射、高集成度硅基器件和芯片提供一种新的解决方案,有希望成为突破体硅器件的物理极限、在深亚微米超大规模集成电路芯片主流技术中获得广泛地应用.介绍了我们制备绝缘体上硅锗薄膜的方法和结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冷建材	山东轻工业学院数理学院	10	11	2.0	2.0
2	脱英英	山东轻工业学院数理学院	6	10	2.0	3.0
3	李健	山东轻工业学院数理学院	7	58	2.0	7.0
4	高兴国	山东轻工业学院数理学院	2	1	1.0	1.0