退火对硅锗薄膜上低维结构的PL光谱的影响

• 作者: 吴克跃 吴兴举 宋军
• 来源期刊: 四川大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 硅锗合金 低维结构 光致荧光光谱 界面态
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1043-1046
• 页数: 4页
• 分类号: O472+.3
• 字数: 1584字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0490-6756.2009.04.035

摘要

采用激光辐照的方法在硅锗薄膜样品表面生成微米级小孔,用高精度扫描电镜观察孔内结构,发现片状的纳米结构. 用荧光光谱仪测其光致荧光谱,在705 nm处出现较强的光致荧光谱(PL). 对片状结构在800 ℃下进行退火20 min后,其PL光谱明显蓝移至575 nm. 退火40 min后,在725 nm处有较宽的PL光谱,同时,在606 nm处有一尖锐的PL光谱. 利用量子受限和纳晶与氧化物的界面态综合模型解释PL光谱的产生.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋军	皖西学院数理系	26	145	6.0	11.0
2	吴兴举	皖西学院数理系	29	25	3.0	3.0
3	吴克跃	皖西学院数理系	25	43	4.0	5.0