新型复合沟道Al0.3Ga0.7N/Al0.05Ga0.95N/GaN HEMT低相位噪声微波单片集成压控振荡器

• 作者: 刘杰 刘稚美 周玉刚 程知群 蔡勇 陈敬
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: Al0.3Ga0.7N/Al0.05Ga0.95N/GaN高电子迁移率晶体管 微波单片集成电路 压控振荡器 相位噪声
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 页码范围: 241-245
• 页数: 5页
• 分类号: TN713
• 字数: 2205字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2007.04.001

摘要

设计并研制了一种新型复合沟道Al0.3Ga0.7N/Al0.05Ga0.95N/GaN HEMT(CC-HEMT)微波单片集成压控振荡器(VCO),且测试了电路的性能.CC-HEMT的栅长为1μm,栅宽为100μm.叉指金属-半导体-金属(MSM)变容二极管被设计用于调谐VCO频率.为提高螺旋电感的Q值,聚酰亚胺介质被插入在电感金属层与外延在蓝宝石上GaN层之间.当CC-HEMT的直流偏置为Vgs=-3V,Vds=6V,变容二极管的调谐电压从5.5V到8.5V时,VCO的频率变化从7.04GHz到7.29GHz,平均输出功率为10dBm,平均功率附加效率为10.4%.当加在变容二极管上电压为6.7V时,测得的相位噪声为-86.25dBc/Hz(在频偏100KHz时)和-108dB/Hz(在频偏1MHz时),这个结果也是整个调谐范围的平均值.据我们所知,这个相位噪声测试结果是文献报道中基于GaN HEMT单片VCO的最好结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈敬	香港科技大学电子与计算机工程系	5	15	3.0	3.0
2	蔡勇	香港科技大学电子与计算机工程系	1	3	1.0	1.0
3	刘杰	香港科技大学电子与计算机工程系	1	3	1.0	1.0
4	周玉刚	香港科技大学电子与计算机工程系	1	3	1.0	1.0
5	刘稚美	香港科技大学电子与计算机工程系	1	3	1.0	1.0