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摘要:
介绍了一种工作在3.3V电压下,适合于标准CMOS工艺的新型带隙基准电路。由于传统的带隙基准电路是利用三极管的短接电压VBE与热电压VT和kT/q乘积的和产生的。因此其VREF大约为1.25V,这就限制了低于1V的带隙输出电压。而新型带隙基准电路的输出电压大约695mV.并可方便地减小或者增大。新型电路的输出电压在190℃的温度范围内的变化值只有1.5mV。它的温度系数大约只有8ppm/℃.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 一种低压低温度系数带隙基准电路设计
来源期刊 电子元器件应用 学科 工学
关键词 带隙基准 低压 低温度系数 基准电路
年,卷(期) 2007,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 46-48
页数 3页 分类号 TN431.1
字数 语种
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张奉江 7 23 3.0 4.0
2 张红 8 26 3.0 5.0
3 张正璠 中国电子科技集团公司第二十四研究所 17 94 6.0 9.0
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研究主题发展历程
节点文献
带隙基准
低压
低温度系数
基准电路
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子元器件应用
月刊
1563-4795
大16开
西安市科技路37号海星城市广场B座240
1999
chi
出版文献量(篇)
5842
总下载数(次)
7
总被引数(次)
11366
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