蓝紫光InGaN多量子阱激光器

• 作者: 刘宗顺 张书明 朱建军 李德尧 杨辉 梁骏吾 王建峰 种明 赵德刚 陈俊 陈良惠
• 来源期刊: 中国科学E辑
• 学科: 工学
• 关键词: 金属有机化合物气相外延 GaN基激光器 多量子阱 脊形波导阈值电流
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 页码范围: 356-359
• 页数: 4页
• 分类号: TN2
• 字数: 2151字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1006-9275.2007.03.004

摘要

在(0001)蓝宝石衬底上外延生长了InGaN长周期多量子阱激光器结构.三轴晶X射线衍射测量显示该多量子阱结构质量优良.用该外延片制作了脊形波导GaN激光器,激光器的腔面为GaN的自然解理面.室温,电脉冲注入,激光器可实现激射.阈值电流密度为33 kA/cm2,特征温度为145 K.