Ⅲ-V族窄带隙掺Mn稀磁性半导体材料研究进展

• 作者: 任平 张俊喜 徐群杰
• 来源期刊: 上海电力学院学报
• 学科: 工学
• 关键词: 稀磁性半导体材料 InMnAs InMnSb
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 环境工程
• 页码范围: 53-56
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.7
• 字数: 3672字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-4729.2007.01.014

摘要

综述了目前国内外以As-基与Sb-基为基础的Ⅲ-V族窄带隙掺Mn稀磁性半导体材料的研究现状,系统地介绍了其生长方法与物理特性的研究进展,并指出其发展趋势与应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐群杰	上海电力学院能源与环境工程学院	87	689	15.0	22.0
2	张俊喜	上海电力学院能源与环境工程学院	52	397	12.0	17.0
3	任平	上海电力学院能源与环境工程学院	6	8	1.0	2.0