半绝缘多晶硅SIPOS工艺与应用

• 作者: 俞诚 刘文龙 吉鹏程 吴丹 李建立 黄强
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 高反压 平面工艺 钝化 半绝缘 含氧量 多晶硅
• 年，卷（期）: 2007,（7）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 28-31
• 页数: 4页
• 分类号: TN406
• 字数: 3558字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2007.07.008

摘要

反向击穿电压较高的半导体器件,一般采用台面玻璃钝化工艺,但这种工艺有不少弊端.因此人们一直努力使高耐压半导体器件工艺平面化,而在这当中表面钝化工艺的选择与应用是个关键.半绝缘多晶硅(SIPOS)的开发几乎与高压平面器件工艺的研究同步.但是由于SIPOS工艺具有一定的难度,普遍应用尚有待时日.文章简要介绍了我们在SIPOS工艺试验与应用方面所做的一些工作.