退火温度对硅基铁电薄膜Bi4Ti3O12晶相结构的影响

• 作者: 任明放 左伟华 成钧 王华
• 来源期刊: 信息记录材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 铁电薄膜 钛酸铋Bi4Ti3O12(BIT) 退火温度
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 记录与介质
• 页码范围: 51-54
• 页数: 4页
• 分类号: O482.5
• 字数: 2929字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-5624.2007.01.012

摘要

采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法制备铁电Bi4Ti3O12(BIT)薄膜,研究退火温度对其微观特性的影响,以掌握制备工艺中最佳退火温度.研究表明,随着退火温度的增加,BIT薄膜的c轴取向生长更明显,晶粒尺寸增加,同时表面粗糙度增加;从退火750℃开始,晶粒开始呈棒状生长;当温度高于850℃时,薄膜的c轴生长取向增长趋势不再明显.退火时间对薄膜的相结构和生长取向没有明显影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	任明放	桂林电子科技大学材料科学与工程系	29	138	6.0	10.0
2	王华	桂林电子科技大学材料科学与工程系	98	463	13.0	17.0
3	成钧	桂林电子科技大学材料科学与工程系	51	227	8.0	11.0
4	左伟华	桂林电子科技大学通信与信息工程系	2	3	1.0	1.0