铜铟硫薄膜的固态硫化法制备及其性能研究

• 作者: 元金石 庄大明 张弓 查杉
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 太阳能电池 CuInS2薄膜 固态源蒸发硫化 硫源温度
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 63-66
• 页数: 4页
• 分类号: TM615
• 字数: 2123字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2007.01.014

摘要

采用中频交流磁控溅射方法沉积Cu-In预制膜,并采用固态源蒸发硫化方法制备CuInS2薄膜.考察了硫源温度对CuInS2薄膜性能的影响.采用扫描电镜(SEM)和X射线能量色散谱仪(EDS)分别观察了薄膜的表面形貌和分析了薄膜的成分,采用X射线衍射(XRD)表征了薄膜的组织结构.结果表明,在硫源温度处于280 ℃到360 ℃范围之内时,制备的CuInS2薄膜都具有单一的黄铜矿型结构,颗粒均匀,晶粒大小约为1 μm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张弓	清华大学机械工程系	81	914	16.0	27.0
2	庄大明	清华大学机械工程系	104	1374	22.0	32.0
3	元金石	清华大学机械工程系	7	50	4.0	7.0
4	查杉	清华大学机械工程系	2	20	2.0	2.0