沉积温度对取向纳米ZnO阵列形貌结构的影响

• 作者: 张广宁 李梦轲
• 来源期刊: 辽宁大学学报（自然科学版）
• 学科: 化学
• 关键词: ZnO纳米阵列 化学气相沉积 荧光光谱
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 页码范围: 173-177
• 页数: 5页
• 分类号: O611.62
• 字数: 3437字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5846.2007.02.022

摘要

采用化学气相沉积方法,以ZnO及无定形碳粉末为原料,高纯Ar气为载气,在单晶硅和Al2O3基底上,用化学气相沉积技术,在750-1 050 ℃范围内制备了取向的纳米ZnO晶体阵列.用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和荧光光谱(PL)等方法对ZnO薄膜阵列的结构和性能进行了表征,发现沉积温度对取向ZnO纳米阵列的生长结构和光致发光特性有重要影响,并就生长条件对纳米ZnO晶体阵列性能的影响因素进行了讨论分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李梦轲	辽宁师范大学物理与电子技术学院	20	105	6.0	10.0
2	张广宁	辽宁师范大学化学化工学院	7	21	3.0	4.0