变温磷吸杂对多晶硅性能的影响

• 作者: 吴冬冬 席珍强 杨德仁 陈金学
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅 磷吸杂 少子寿命
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 页码范围: 160-164
• 页数: 5页
• 分类号: TK51
• 字数: 3176字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0254-0096.2007.02.010

摘要

用微波光电导衰减仪(μ-PCD)研究了不同温度和时间的恒温和变温磷吸杂处理对铸造多晶硅片电学性能的影响.实验发现:变温吸杂明显优于恒温吸杂,特别是对原生高质量多晶硅;其优化的变温磷吸杂工艺为1000℃/0.5h+700℃/1.5h;而在高温恒温吸杂中,多晶硅少子寿命值反而显著下降.实验现象表明:磷吸杂效果主要是与过渡族金属的溶解、扩散和分凝有关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨德仁	浙江大学硅材料国家重点实验室	180	1513	20.0	31.0
2	陈金学	浙江大学硅材料国家重点实验室	2	23	2.0	2.0
3	席珍强	浙江大学硅材料国家重点实验室	22	539	13.0	22.0
4	吴冬冬	浙江大学硅材料国家重点实验室	4	23	2.0	4.0