InAs0.96Sb0.04红外薄膜的光学性质研究

• 作者: 戴宁 方维政 洪学鹍 邓惠勇
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: InAsSb 光学常数 椭偏光谱 液相外延
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 页码范围: 5-9
• 页数: 5页
• 分类号: TN4
• 字数: 4291字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2007.01.002

摘要

采用水平滑移石墨舟液相外延生长技术在n型(100)InAs衬底上生长了InAs0.96Sb0.04薄膜.在1.5～5.5 eV光子能量范围采用紫外-可见光椭圆偏振光谱仪于室温下测试了其介电函数谱ε(E).基于电子带间跃迁和联合态密度理论,采用S. Adachi的MDF模型对ε(E)进行了拟合,并计算了各种临界点电子跃迁对ε(E)的贡献.结果表明:实验数据与模型吻合得非常好,E1和E1+Δ1跃迁发生在布里渊区(BZ)的Λ轴或L点,分别对应于M1型临界点Λv5→Λc6(或Lv4.5→Lc6)和Λv6→Λc6(或Lv6→Lc6)跃迁;E2跃迁是由于M1型和M2型鞍点能量简并引起的,沿着BZ的Σ和Δ轴方向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓惠勇	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	5	4	1.0	1.0
2	戴宁	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	55	315	11.0	15.0
3	方维政	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	20	91	6.0	8.0
4	洪学鹍	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	2	13	1.0	2.0