δ-搀杂GaAs/AlAs多量子阱中铍受主远红外吸收研究

• 作者: M.J.STEER M.P.HALSALL P.HARRISON 郑卫民
• 来源期刊: 中国科学G辑
• 学科: 物理学
• 关键词: 浅受主杂质 δ-搀杂 GaAs/AlAs多量子阱 远红外吸收
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 60-65
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 3732字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-7275.2007.01.007

摘要

报道了在GaAs中均匀搀杂和一系列GaAs/AlAs多量子阱中δ-搀杂浅受主杂质铍(Be)原子带内跃迁的远红外吸收研究.在4.2 K温度下实验测量的远红外吸收谱中清楚地观察到了三条主要的浅受主带内跃迁吸收线,它们分别来源于铍受主基态到它的三个奇宇称激发态的跃迁.应用变分原理,我们计算了量子限制铍受主2p激发态到1s基态跃迁能量随量子阱宽度的变化关系.通过比较发现,2pz→1s跃迁能量理论计算符合类-D吸收线的实验结果.